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美司法部:中国商人企图偷窃通用电气商业秘密

美国之音 | 2021-02-28

美国司法部近日发表声明,称居港中国商人吴志龙(音译,Chi Lung Winsman Ng)因涉嫌串谋偷窃通用电气(General Electric, 简称GE)商业机密被起诉。司法部矢言打击此类非法的、破坏经济的行为。

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通用电气商标

司法部在2月26日发表的声明中称,现年64岁居住香港的中国商人吴志龙因涉嫌在2017到2018年间与他人串谋窃取通用电气公司价值数百万美元的碳化硅MOSFET技术的商业机密,于周四(2月25日)被起诉。

司法部国家安全事务助理部长德默斯(John C. Demers)在声明中说吴志龙和他的同谋“选择偷窃他们因缺乏时间、才能和金钱去创造的东西。”

德默斯说:“为了外国公司的利益而窃取美国的知识产权,使美国公司失去了创造力的果实,剥夺了美国人的工作。司法部将竭尽所能阻止这样的非法且破坏经济的行为。”

纽约北区联邦检查官伊丽莎白·库姆(Elizabeth C. Coombe)在声明中说:“如起诉书所指,吴志龙串谋从通用电气窃取商业机密,以成为竞争对手。”

库姆说:“这方面的谋算,以及其他类似的计划是试图损害美国的创造力,而这通常取决于保持技术进步的机密性。”

库姆说,她将继续与联邦调查局合作,追究那些试图从她所在辖区内的创新公司那里窃取商业机密的人。”

据司法部声明所引述的起诉书内容,大约在2017年3月到2018年1月间,吴志龙和至少一个同谋策划了一项业务,即利用从GE窃取的商业秘密来制造和销售碳化硅MOSFET。MOSFET,或碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管是小型半导体/开关,可用于调节通过设备的电流并用于多种产品。

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